经过对这批锗碳纳米管的筛选和测试，这批锗碳纳米管并没有达到赵小侯的性能要求，其半导体属性不达标。
不过话说回来，这已经是二维碳材料在半导体方面的突破了。
光这，写篇论文，投到《自然》去，都能够轻松过审的。
但这样的话，无疑就是将青涩的果实提前采摘下来，而其余学者看到这篇论文之后，就会激发他们的灵感，使得他们后续研制出真正具有半导体属性的锗碳纳米管来！
到那个时候，赵小侯也就只能眼睁睁的看着别人轻松摘下诺贝尔物理奖项的桂冠！
这样的话，他估计会被气死。
因而，赵小侯在这次实验结束后，不但召开了实验室全体大会，也召开了全公司大会，总之就一条，强调保密的重要性，要求钱本伟在全公司上下严格执行保密条例！
如果不是他考虑到学术成果还没有出来的话，估计都想要去外面请一批高级保安来把守公司内外了。
当然，那样的话，就太显眼了一些，反倒会引来一些不必要的目光注视。
第一批锗碳纳米管不合格，没关系，只要能够配置出第一批，总结经验和数据之后，配置出第二批，第三批，第四批，乃至于无数批都是很简单的事情罢了。
唯一需要的就是时间和金钱。
实际上，一周之后，第六批锗碳纳米管配置出来之后，经过筛选和测试，赵小侯就十分惊喜的发现，这批锗碳纳米管里面有一部分不但尺寸合适，并且半导体属性很优异。
半导体材料的几个性能指标里，最重要的就是载流子迁移率。
锗碳纳米管的载流子迁移率达到了惊人的2\/(V·s)。
而单纯的碳纳米管，其载流子迁移率则只有2\/(V·s)。
硅材料芯片的载流子迁移率只有13502\/(V·s)。
太阳能发电板空穴的载流子迁移率仅为4802\/(V·s)。
光从以上几个数据就可以清晰看出，锗碳纳米管的半导体性能有多么强了。
是硅芯片的222倍以上！
并且比单纯的碳纳米管的性能也要强上不少。
最关键的就是碳纳米管很难实现半导体的局部通断电能力，它只能全部通电，或者全部断电，就好似一根性能优越的铜电线。
没办法实现硅芯片里无数晶体管里的与逻辑和或逻辑，非逻辑能力。
正如之前所说的那样，碳芯片想要研制出来的难度就在这里。
但这锗碳纳米管就不一样了，其可以在外部电场的影响下实现这一点。
可以这么说，这一批锗碳纳米管研制出来之后，就等于整个项目走出了第一步，算是阶段性的胜利。
因而当晚，赵小侯就带着实验室众人直奔2号小校门外的一家海鲜酒楼，痛痛快快的吃了一顿大餐，以示庆祝。
不得不说，赵小侯算是无师自通，将人心掌握明白了。
不管这些人是不是真心愿意在实验室里继续干下去，但有点成果，就带着大家大吃大喝，还时不时发点奖金的boSS，肯定是受人喜欢的。
这次的成功的确算是个小胜利了。
赵小侯和大家吃喝一番，回到宿舍之后，就花费了半个小时，撰写了一篇论文。
当然，这篇论文，赵小侯并不打算立即发表出去就是了。
毕竟这也算得上是材料学术界里程碑式的学术成果了。